Перспектива создания квантово-полупроводниковых чипов стала ближе

Гeтeрoсoeдинeниe нитридa гaллия, кoтoрый ширoкo испoльзуeтся в микрoэлeктрoникe, и нитридa ниoбия, кoтoрый стaнoвится свeрxпрoвoдникoм около сильнoм oxлaждeнии, пoзвoляeт испoльзoвaть квaнтoвыe эффекты в полупроводниковых устройствах..

Первые полупроводниковые транзисторы были изготовлены ещё раз в 1950-х годах, и с тех пор полупроводниковые технологии остаются основой почти что всей электроники. Очередной шлаг их развития мог бы последовать за счет использования квантовых явлений в полупроводниковых устройствах — по причине этому процессоры стали бы неизмеримо более мощными.

Особый пристр для ученых, работающих в этом направлении, представляют сверхпроводники, в которых могут совершаться квантовые явления. В поисках возможных преемников полупроводниковой электроники сло исследователей изучают гетеросоединения — структуры изо материалов двух разных типов. Подле этом у них должны быть аспидски похожими кристаллические решетки, ради не было напряжения в зоне контакта.

Подходящими в этом отношении представляются нитрид галлия — германий, который широко используется в микроэлектронике, и нитрид ниобия, основа, становящийся сверхпроводником при сильном охлаждении. Внове ученые Корнельского университета и Института Пауля Шеррера провели эксперименты с гетеросоединением сих двух материалов и определили, кое-что паразитное взаимодействие их электронов в зоне контакта и в заводе нет, а значит, квантовые эффекты в сверхпроводнике сохраняются и ими дозволено воспользоваться.

Источник

Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.