Киберсфера

Кoмпaния Samsung сooбщилa o сoздaнии oпытнoгo 256-Мбит мaссивa пaмяти SRAM с испoльзoвaниeм 3-нм тexпрoцeссa и сoвeршeннoгo нoвыx трaнзистoрoв MBCFET. Oбрaзeц пoзвoлил пoдтвeрдить xaрaктeристики будущeгo тexпрoцeссa. Тeм сaмым Samsung oт тeoрии шaгнулa к прaктикe и мoжнo рaссчитывaть, чтo 3-нм прoизвoдствo пoлупрoвoдникoв oнa зaпустит ужe в слeдующeм гoду.

Формирование. Ant. деградация транзисторов. Источник изображения: Samsung

Надлежит сказать, что аббревиатура MBCFET (multi-bridge channel FET) в названии нового как транзисторов — это зарегистрированная торговая знак Samsung. В широком смысле сие так называемые транзисторы GAAFET с кольцевым али всеохватывающим затвором, когда проточина или несколько каналов транзистора окружены затвором со всех четырёх сторон.

Каста концепция была представлена единаче в 1988 году и хорошо изучена умозрительно, но повод перейти нате эту структуру появился лишь только сейчас, поскольку ставшие классическими FinFET-транзисторы с вертикальными рёбрами-плавниками перестают естественным путем работать с технологическими нормами больше 5 нм. В случае дальнейшего наращивания производительности и снижения потребления с одновременным уменьшением физических размеров транзисторов (в процессе снижения технологических норм) осуществлять руководство транзисторными каналами становится сложнее. Благодаря чего увеличение площади контакта в лоне затвором и каналом за отсчет полного охвата канала является простым выходом изо ситуации, который, что аспидски важно, позволяет выпускать новые транзисторы бери прежнем оборудовании.

Источник изображения: Samsung

Добавим, важным новшеством присутствие производстве чипов на транзисторах MBCFET (GAAFET) станется возможность задавать ширину каналов-наностраниц, а да их число в составе каждого транзистора, в (видах каждого отдельного случая. Скажем так, для более производительной логики ширину наностраниц позволено увеличить, а для блоков с низким потреблением понизить.

Более того, появляется вероятность настолько гибкого проектирования, почему даже в отдельно взятой шеститранзисторной элементарной ячейке SRAM отруб транзисторов можно создать с широкими наностраницами-каналами, а делянка с узкими. Именно это Samsung продемонстрировала подле создании опытного 256-Мбит 3-нм массива SRAM. Измерения показали, кое-что переход на ячейку со смешанными транзисторами получи и распишись ровном месте снизил напряг записи на 256 мВ.

Рулить шириной наностраниц-каналов не задавайся, чем добавлять новые рёбра в транзисторах FinFET. Корень изображения: Samsung

Наконец, компашка подтвердила способность добиться новых уровней производительности и эффективности. Манером), по сравнению с 7-нм техпроцессом 7LPP обороты работы 3-нм MBCFET транзисторов выросла накануне 30 % (подле одинаковом уровне потребления и сложности), а быть работе на одинаковых частотах и праздник же сложности потребление снизилось после 50 %. Интенсификация плотности транзисторов в смешанной схеме (SRAM положительный момент логика) составил до 80 %.

Сольфатор